Oki发布无线基站用氮化镓功率晶体管样品

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Oki Electric公司发布了一款氮化镓高电子迁移晶体管(GaN-HEMT)器件，即适用于无线基站的高频波动功率晶体管产品。

这种新型晶体管采用氮化镓材料制成，可降低3G移动电话、PHS和无线城域网(MAN)中无线电信基站的尺寸和功耗。GaN-HEMT可在比GaAs-HEMT高3到5倍的电压下工作，从而能实现更高的电压供电。此外，由于工作电流可降低为原来的1/3到1/5，外设元件的功耗得以降低，从而降低整个电路的功耗。因此，高输出无线和无线基站产品通常都采用GaN-HEMT器件。

Oki公司计划于2006年初发运上述器件的样品，并于2006年下半年开始批量生产。