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台湾地区以MIM电容结构为DRAM技术带来突破

继结合台湾地区四大内存厂商进行“新一代相变内存”技术研发之后，台湾工研院电子所宣布在动态随机存取存储器(DRAM)关键技术上取得突破，新发表的金属绝缘层金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)电容结构，号称可为台湾DRAM厂商的新一代产品开发提供有利技术后盾。

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