瑞萨科技新技术有助于采用65nm工艺的嵌入式SRAM稳定运行


在近日于美国夏威夷火努鲁鲁举行的超大规模集成电路(VLSI)2006年专题研讨会上，瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布，开发出一种有助于采用65nm(65纳米)制造工艺生产的SRAM(静态随机存取存储器)实现稳定运行的技术。新技术采用了一种直接图形成型布局和读辅助及写辅助电路，以克服采用精细特征工艺技术时由于晶体管固有特性可变性带来的SRAM不稳定问题。