TI 2MHz高速同步驱动器用于大电流单相与多相电源设计

关键字： MOSFET  同步驱动器  VRM  DC/DC  TPS28225 

日前，德州仪器(TI)宣布推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。该款2MHz驱动器简化了大电流单相与多相应用中的电源设计，如电压稳压器模块(VRM)设计、笔记本电脑、带有二次侧同步整流器的隔离式电源以及对效率要求极高的DC/DC转换器等。

TI的TPS28225驱动器以4.5V至8.8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁干扰(EMI)，在7V至8V电压范围内时，器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。

TI电源控制业务部的产品线经理Larry Spaziani指出：“电源系统设计人员在采用5V与12V标准驱动器的过程中不断要求实现更高的工作效率与性能。采用TPS28225的几家顶级电源客户不仅将功率效率提高了3%到8%，而且还提高了开关频率，减小了模块尺寸，并显著改善了瞬态响应。”

针对较低栅极驱动器，驱动器的0.4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于阈值电平，以确保高dV/dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。

TPS28225提供的三态脉宽调制(PWM)输入与TI TPS40091等所有多相控制器相兼容。断电模式则能使负载免受反向输出电压的影响。

TPS28225的关键特性：

·推荐采用7V至8V栅极驱动电压，这时优化后的器件能实现最高效率

·针对高频率应用的14ns极短停滞时间

·在每相位电流超过40A的情况下实现业界最高效率

·低阻抗吸入(典型值为0.4欧姆)与源电流(典型值为1欧姆)功能

·在同步降压、升压或桥接配置下可驱动N通道MOSFET

·可接受宽泛的电压输入信号范围(3V至24V范围)

·单引脚上支持Space-saving(输入)与Power Good(输出)信号

·独特的输入级可与所有业界标准的模拟与数字控制器相兼容

·三态输入功能

·提供针对窄占空比信号的智能管理功能

价格与供货情况

TPS28225 MOSFET驱动器现已投入量产，可通过TI及其授权分销商订购获得。该器件采用低成本的8引脚SOIC DFN封装与散热增强型3毫米×3毫米8引脚DFN封装两种封装版本。批量为1,000片时的建议零售单价为0.60美元。