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英特尔、美光发力4Gb NAND闪存技术，50纳米样片问世

最近，英特尔和美光(Micron Technology)推出采用50纳米工艺制造的4Gb容量NAND闪存样片。据美光表示，该器件由两家公司的合资企业IM Flash生产。就在几天前，三星电子宣布推迟了8G NAND闪存芯片的发货，因为该公司正在开发每单元存储四比特数据的NAND闪存技术。

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