利用Liberty CCS建模技术实现更高精度的EDA分析
作者：:George Mekhtarian, Rob Aitken

广泛应用的非线性延迟和功耗模型(NLDM/NLPM)已经在集成电路设计行业使用了近10年。这些模型由多个提取了每种输入电压变化和输出负载组合的单元(cell)延迟或功耗的表构成。在90纳米及以下的工艺尺寸上，许多新效应已经无法再使用这种方式来建模。下面我们将对一些此类建模挑战进行更详细的阐述。这些挑战包括：高阻抗互连；米勒效应(Miller effect)；动态电压降对延时的影响；多电压、动态电压和频率调整(DVFS)设计；驱动电路削弱现象；温度逆变；工艺变动不断加大。