特许半导体携手Tezzaron制造3D内存产品 ，将会取代144Mbit SRAM

关键字： 3D器件  3T-iRAM  FaStack 

特许半导体(Chartered Semiconductor Manufacturing Pte. Ltd.)开始制造Tezzaron Semiconductor公司的内存芯片。此外，两个公司一起准备制造Tezzaron公司的3D产品。

特许半导体正采用0.13微米工艺制造Tezzaron的3T-iRAM系列2D 72Mbit内存产品，这种产品采用专利技术模拟SRAM，比SRAM更快、耗电更少，适于电信和数据通信设备。

Tezzaron也在开发称为FaStack的3D产品，支持将称为Super-Contacts的thru-silicon互联功能嵌入每块晶片的电路中，然后晶片以0.5微米的精度对齐、绑定形成单独的产品。

采用这种方法制造的产品将为72Mbit内存，两片叠合起来形成144Mbit的SRAM替代产品。