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IMEC:细述high-k平板CMOS的优势
作者: John Walko

比利时研究机构IMEC的研究人员和其在32nm CMOS项目的合作伙伴宣称取得了一个重大的突破,主要是可以通过使用基于铪的high-k电介质和钽-碳化物金属门来大大提升平面CMOS的表现能力。他们在华盛顿举行的国际电子设备会议上大致描绘该项技术的原理。

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