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III-V化合物将在NMOS通道应用上“大展拳脚”
作者： John Walko

据最近由德国公司Aixtron AG和Sematech组织的一个研讨会，某些III-V族化合物的高电子迁移率使其成为未来NMOS通道材料的主要候选者，其中基于铟的InGaAs可能是首选材料。

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