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[ 2008年7月7日 ]


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英特尔45nm半导体工艺技术解析

英特尔公司45nm工艺技术的主要特点是采用铪基高k材料，把氮化钛(TiN)用于PFET取代栅极，把TiN阻挡层与一种功函数调整金属组成的合金用于NFET取代栅极。取代栅极流程让英特尔公司能够复用过去多晶硅栅极技术中的许多工艺步骤和工具。英特尔公司还采用多达9个金属层的大马士革铜工艺。含有掺碳氧化物的SiCN 阻挡层则形成了低k值层间介电材料集成方案。

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