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| 2009-06-23 |
英飞凌宣布推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列 |
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英飞凌科技宣布推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流开关模式电源（譬如面向全球市场的台式机和计算机服务器装备的电源）的同步整流的理想选择。 |
| 2009-05-31 |
意法半导体创新高压晶体管技术，协助开发更可靠的高能效电源 |
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功率半导体技术的世界领导者意法半导体推出全新系列功率MOSFET晶体管，新产品的击穿电压更高，抗涌流能力更强，电能损耗更低，特别适用于设计液晶显示器、电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源。 |
| 2009-05-21 |
凌力尔特公司推出小占板面积的同步降压型DC/DC控制器LTC3854 |
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凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出纤巧 2mm x 3mm DFN-12 封装、宽输入电压范围同步降压型开关 DC/DC 控制器 LTC3854，该器件能驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级。 |
| 2009-05-15 |
IR推出增强型25V及30V MOSFET，适用于负载点同步降压转换器应用 |
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国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出一系列新型25V及30V N通道沟道HEXFET功率MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。 |
| 2009-05-07 |
IR推出新型逻辑电平沟道MOSFET，提供基准效率和更高电流额定值 |
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国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。 |
| 2009-03-24 |
飞兆半导体推出单电源高集成度6A同步降压稳压器FAN21SV06 |
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为电信、显卡和消费电子产品设计人员提供一款单电源、高集成度的6A同步降压解决方案，可让设计人员以较少的占用空间达到较高的效率水平。FAN21SV06把一个控制器、驱动和经优化过的功率MOSFET集成到一个5mm X 6mm MLP封装中，这种小型封装比分立方案节省超过40%的线路板面积。同时，TinyBuck 器件有着更高的效率，相比其它同类的解决方案能提供高达95%的效率。 |
| 2009-03-11 |
Vishay发布20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET Si7137DP |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技术的首款器件 --- Si7137DP，该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装，具备业内最低的导通电阻。 |
| 2009-03-09 |
飞兆半导体的初级端调节PWM控制器EZSWITCH，可简化设计并减少线路板空间 |
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新初级端调节 (primary-side regulation, PSR) 脉宽调制 (PWM) 控制器系列，实现精简又高效的电池充电器和电源电路设计。这些EZSWITCH初级端调节控制器集成了一个初级端调节 PWM 控制器和一个功率MOSFET，能够轻易达到严格的恒压(CV) 和恒流 (CC) 要求，无需复杂的次级端反馈电路。 |
| 2009-03-04 |
IR展示全系列功率管理解决方案 |
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为了展示IR大功率MOSFET在电动自行车市场的领先地位，IR特别将一辆崭新的电动自行车搬到了IIC-China 2009展会的IR展台中央，并重点推广其最新的60V和75V系列N沟道MOSFET。 |
| 2009-02-23 |
ST最新MDmesh V功率MOSFET，实现业内最低的单位芯片面积导通电阻 |
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功率半导体产品的全球领导者意法半导体宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。MDmesh V让新一代650V MOSFET将RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用紧凑型功率封装，使能效和功率都达到业内领先水平。这些产品的目标应用是以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统。 |
| 2009-01-22 |
Vishay推出背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET Si8422DB |
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日前，Vishay Intertechnology宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT 芯片级封装的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。 |
| 2009-01-09 |
Vishay推出190V N通道功率MOSFET SiA850DJ |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，该器件具有 2mm×2mm 的较小占位面积以及0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK? SC-70 封装的 SiA850DJ 还是在 1.8V VGS 时具有导通电阻额定值的业界首款此类器件。 |
| 2008-12-25 |
Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。 |
| 2008-12-22 |
IR推出全新基准MOSFET系列，将封装电流额定值提升了60% |
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国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。 |
| 2008-12-15 |
Vishay推出业界最小的20V n通道功率MOSFET肖特基二极管SiB800EDK |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管 --- SiB800EDK ，该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型 PowerPAK SC-75 封装。这款新型器件的推出，意味着 Vishay将其在 100 mA 时具有 0.32V 低正向电压的肖特基二极管与具有在低至 1.5V 栅极驱动时规定的额定导通电阻的 MOSFET 进行了完美结合。 |
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