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2009-06-23 安森美半导体推出0201 DSN-2封装的ESD保护器件ESD11N和ESD11B
  安森美半导体推出两款采用最新的超小型0201双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead ,DSN-2)封装的静电放电(ESD)保护器件。
2009-05-31 安森美半导体推出业界首款带集成ESD保护的共模扼流圈EMI滤波器
  安森美半导体(ON Semiconductor)推出业界首款共模扼流圈及静电放电(ESD)保护集成电路(IC) ,应用于高速数据线路。
2009-05-05 CMD高亮度LED保护装置亮相EDN LED研讨会
  California Micro Devices(CMD)于4月30日在加州圣塔克拉拉由EDN主办的“Designing with LEDs Workshop 2009”上展示其创新的 LuxGuard 系列全套解决方案,该方案用于静电放电 (ESD) 保护和高功率超高亮度 LED(发光二极管)照明应用的热能管理。
2009-04-30 安森美推出业界首款带集成电流保护和高速ESD保护的USB 2.0过压保护器件NCP362
  全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体推出业界首款带集成电流保护和高速静电放电(ESD)保护的过压保护(OVP)器件——NCP362,用于便携、电信、消费和计算系统中的USB 2.0应用。
2008-12-11 英飞凌推出超小型GPS接收前端模块BGM681L11
  英飞凌(Infineon)日前推出一款超小型GPS接收前端模块。BGM681L11模块内含可放大GPS信号、过滤噪声干扰的各项重要组件。该GPS接收前端模块的主要组件包括一个GPS低噪声放大器(LNA)及附有高静电放电(ESD)保护的整合式滤波器。
2008-11-19 静电放电协会(ESDA)和JEDEC就统一的静电放电检测方法标准的制定进行合作
  JEDEC固态技术委员会和静电放电协会日前宣布双方已经达成了一项设备静电放电(ESD)敏感性检测领域联合标准和出版物开发的凉解备忘录(MOU)。 JEDEC和静电放电协会相信这份凉解备忘录符合双方机构、成员公司和整个产业的最高利益。。
2008-11-17 安森美独立式LIN收发器NCV7321,符合LINv2.1和J2602规范
  安森美半导体推出用于汽车产业的独立式本地互联网络(LIN)收发器NCV7321。这低功率混合信号NCV7321器件替代AMIS-30600单线式LIN收发器,但具有更优越的电磁兼容(EMC)能力和静电放电(ESD)性能,以及更低的功率耗散。
2008-11-06 安森美半导体专家在静电放电保护技术研讨会上分享ESD设计心得
  高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)日前在台北举行的第七届静电放电保护技术研讨会上,针对如何防止静电放电(ESD) 所带来的损失,从元件、制造和系统三个层级的技术面加以探讨,为业界提供实质建议。
2008-09-30 安森美发布业界最薄ESD保护阵列,用于便携应用高速数据线路保护
  安森美半导体(ON Semiconductor)推出低电容静电放电(ESD)保护产品线的两款新产品――NUP4016和ESD11L5.0D。这些新产品采用安森美半导体获得专利的先进集成ESD保护平台,增强钳位性能,并维持超低电容和极小裸片尺寸。
2008-08-05 TI新款ESD解决方案TPD8S009出炉,面向HDMI和DisplayPort保护
  德州仪器(TI)宣布推出一款高可靠静电放电 (ESD) 解决方案,可针对八个高速差动线路提供系统级ESD保护,以满足高清多媒体接口(HDMI) 与 DisplayPort 连接器的需求。TPD8S009 的直通式、单列直插引脚映射可优化电路板布局,提高抗不良电磁干扰的能力。
2008-08-01 选择高效ESD保护器件的诀窍
  随着更新的集成电路(IC)技术采用更小的几何尺寸和更低的工作电压,不断更新换代的便携产品对静电放电(ESD)电压损害越来越敏感。有鉴于此,手机、MP3播放器和数码相机等便携产品的设计人员必须评估各种可供选择的ESD保护解决方案,确保他们所选择的解决方案能满足当今IC不断变化的需求。本文将探讨选择有效ESD保护解决方案的关键步骤。
2008-07-08 ST手机音频滤波器与ESD保护电路二合一芯片EMIF06-AUD01F2问世
  意法半导体(ST)推出耳机和话筒接口芯片EMIF06-AUD01F2,在一个大小仅为2.42 x 1.92mm的倒装片封装内,新产品集成了完整的EMI(电磁干扰)滤波电路和ESD(静电放电)保护电路,以保护手机的立体声耳机输出端口和内外部话筒输入端口,提高多功能手机的音频性能。
2008-06-26 安森美推出两款高性能ESD保护器件ESD7L5.0D和NUP4212
  安森美半导体(ON Semiconductor)扩充高性能片外静电放电(ESD)保护产品系列,推出两款业界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计,提高了钳位电压性能,同时保持低电容和小裸片尺寸。
2008-06-15 高速数据线路保护便携应用
  手机、数码相机、MP3播放器和个人数字助理(PDA)等手持产品设计人员不断面对在更小的外形内提供更多功能的挑战。集成电路(IC)设计人员通过提高器件的速度和性能同时减小硅器件的尺寸推动了这种趋势。使空间受限的便携电子产品能够使用支持增添的功能所需要的高速数据线路接口。但其代价如何呢?为了实现便携应用在较小面积上提供更高的功能,IC技术使用了更小的几何尺寸和更低的工作电压,使它们对静电放电(ESD)电压损坏越来越敏感。这种趋势对终端产品的可靠性有负面影响,会增加现场故障的可能性。同时,便携设备设计人员得找到一种片外ESD保护解决方案,结合低电容和低ESD钳位电压,且所采用的封装小到足够适应当今尺寸日益缩小的便携电子应用。
2008-06-05 保护便携应用的高速数据线路
  为了实现便携应用在较小面积上提供更高的功能,IC技术使用了更小的几何尺寸和更低的工作电压,使它们对静电放电(ESD)电压损坏越来越敏感。这种趋势对终端产品的可靠性有负面影响,会增加现场故障的可能性。同时,便携设备设计人员得找到一种片外ESD保护解决方案,结合低电容和低ESD钳位电压,且所采用的封装小到足够适应当今尺寸日益缩小的便携电子应用。



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