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2009-06-29 恒忆与三星电子共同合作开发PCM
  恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory,PCM) 产品的市场规格,此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求,从而帮助多功能手机及移动应用、嵌入式系统、高级运算装置的制造商应对设计挑战。
2009-06-12 市场前景看好,NXP潜心相变存储器技术
  NXP公司,前身为飞利浦公司的芯片部门,正在研究专有的相变存储器(PCM),该公司的首席技术官Rene Penning de Vries表示该技术将十分“有希望”。
2008-04-02 ST、英特尔和FRANCISCO PARTNERS完成合并案,恒忆(NUMONYX)存储器公司正式成立
  意法半导体及英特尔和Francisco Partners公司宣布日前公布的成立合资企业的合并方案正式结束。根据最终协议,意法半导体用NOR和NAND闪存资产和业务(包括相变存储器资源和NAND合资企业利益)换取恒忆48.6%的股权和1.556亿美元的长期次级票据,这些长期票据产生的利息将按适合的市场利率计算。
2007-06-27 128M相变存储器即将实现量产
  英特尔公司推出了128Mb的相变存储器样片,并计划于今年下半年采用90nm技术进行量产。该器件代号为Alverstone,是英特尔的首款相变存储器,并被视为NOR闪存的替代品。英特尔是全球第二大NOR闪存供应商,仅次于Spansion公司。
2006-12-30 应对插头热耗散难题,日立瑞萨携手改良相变存储器
  日立和瑞萨科技日前在国际电子器件大会上声称改进了其相变存储器研究。设计新颖处在于,在连接MOS晶体管和相变薄膜的插头之间采用五氧化钽(Ta2O5)界面层。其设计能防止插头上的热耗散,从而允许在较低功耗下实现非晶状态的重置。
2005-05-27 IBM、英飞凌和Macronix合作开发相变存储器
  Macronix公司日前表示,IBM、英飞凌(Infineon)和Macronix已经同意联合研究相变存储器(PCM)。
2005-02-17 Ovonyx释出技术授权,助Elpida进行OUM相变存储器商用化
  Elpida Memory公司与Ovonyx公司日前签署了一项DRAM潜在替代技术的授权协议。



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