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| 2007-01-01 |
采用金属和多晶硅栅极混合结构，瑞萨推出新型晶体管技术 |
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瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）日前宣布，该公司已开发出一种可用于45nm节点及以上工艺微处理器和系统级芯片（SoC）产品的晶体管技术。新开发的技术包括采用P型晶体管金属栅极以及N型晶体管传统多晶硅栅极的混合结构的高性能CMIS晶体管。它可在不改变当前制造工艺的条件下实现，进而降低生产成本。 |
| 2006-12-08 |
意法发布70nm工艺NAND闪存，提供高速和高密度 |
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意法半导体日前宣布，该公司采用70nm制造工艺的NAND闪存产品已全线上市。512-Mbit(小页)和1/2/4/8-Gbit(大页)闪存升级到ST的70nm制造工艺，使该系列产品进入NAND闪存技术的先进行列，升级后的产品价格低廉，功耗更小。 |
| 2006-12-04 |
三足鼎立终成一统，IMEC重组欲扫除设计与工艺研究障碍 |
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独立研究机构IMEC目前正在进行重组工作，先前主持制造工艺技术研究的Luc van den Hove将被推举为首席运营官。 |
| 2006-11-21 |
TFT-LCD面板产业将在第8代制造工艺后迷失发展方向吗？ |
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不断朝着更高级的生产设备前进的大型薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)面板产业将在第8代制造工艺后迷失发展方向吗？这是日前在iSuppli公司主办的2006平板显示大会(FID 2006)上的热点讨论话题。 |
| 2006-11-16 |
应对下一代制造工艺高昂成本，半导体三大巨头合力抱团共建通用平台 |
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开发下一代半导体制造工艺的成本高昂，IBM、三星电子股份有限公司和特许半导体制造股份有限公司已经作出计划并实施一项战略，通过把它们推广到合作企业集团之中，使用户可以用得起下一代成本高昂的制造工艺。 |
| 2006-11-10 |
ST发布0.15微米工艺的TPM芯片ST19NP18，支持TPM1.2规范 |
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全球第一个推出完全符合TCG(可信计算组)TPM1.2规范的可信平台模块(TPM)的芯片制造商意法半导体(ST)，近日又推出了一个采用该公司先进的0.15微米CMOS EEPROM制造工艺的新模块ST19NP18。ST19NP18-TPM达到了可信计算组TPM规范最新版1.2版的要求，并支持安全性很高的现场升级功能。 |
| 2006-09-07 |
美信为65nm制造工艺量身定做6通道温度传感器 |
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美信(Maxim Integrated Products)日前推出MAX6689，一款精度为±1℃的6通道温度传感器，为下一代65nm制造工艺量身定做。该器件精确测量自身温度和最多6个外部位置的温度，例如CPU、存储器、GPU或其他热敏感位置。 |
| 2006-08-02 |
蜂窝手机音频架构的未来发展趋势 |
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在向未来发展的进程中，蜂窝手机已经逐步演变成为一种多通道、多媒体信息终端，对音频的需求也在基本的双向语音通信基础上发生着巨大的变化。音频信号以模拟和多种数字格式的形式存在，并被传输至多种类型的模拟和数字输出器件。供蜂窝手机使用的信号通路可以是模拟、数字，或者二者兼而有之，这取决于处理器芯片上是否含有麦克风和耳机所需的编解码器以及小信号放大器。而处理器的半导体制造工艺正在向更小尺寸、更高器件密度和更低工作电压发展。 |
| 2006-08-02 |
PDF Solution落子上海，全球半导体成品率提升专家进军中国 |
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集成电路制造工艺设计集成技术供应商PDF Solutions公司近日宣布在成立上海分公司，从而为日渐崛起的中国大陆晶圆代工厂商提供服务，帮助他们提升产品成品率(yield)、特别是90nm以下新工艺下的成品率。 |
| 2006-07-27 |
Cadence、PDF共谋发展，规划IC DFM技术新蓝图 |
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IC及电子系统设计自动化解决方案供应商Cadence设计系统公司与集成电路制造工艺设计集成技术供应商PDF Solutions有限公司日前宣布达成合作意向，双方将在可制造性设计（DFM）技术和产品领域进行合作，以提高IC制造能力、成品率和可靠性。 |
| 2006-07-04 |
针对EDGE/GSM手机发送电路的四种架构分析 |
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为采用8PSK调制支持2.75G EDGE标准，手机设计工程师和芯片组供应商面临着新的挑战。为满足成本、功耗和制造工艺的需求，我们提出如下四种发送电路架构：极性反馈(Polar Feedback)“Lite”；极性反馈；极性开环；直接调制(零差)。 |
| 2006-07-03 |
精工爱普生新款LCD驱动器面向小型面板控制 |
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精工爱普生日前发布面向非晶硅TFT液晶面板的驱动器IC“S1D19501系列”，可驱动176×220点阵的液晶显示屏，芯片尺寸仅为原产品的34%。主要面向便携播放器、手机等配备的小型液晶面板。该IC采用0.13μm规格的CMOS制造工艺，实现了17.899mm×1.093mm的芯片尺寸。 |
| 2006-06-30 |
瑞萨发布新技术，助力采用65nm工艺的嵌入式SRAM实现稳定运行 |
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瑞萨科技公司宣布开发出一种有助于采用65nm制造工艺生产的SRAM（静态随机存取存储器）实现稳定运行的技术。新技术采用了一种直接图形成型布局和读辅助及写辅助电路，以克服采用精细特征工艺技术时由于晶体管固有特性可变性带来的SRAM不稳定问题。 |
| 2006-06-21 |
瑞萨科技新技术有助于采用65nm工艺的嵌入式SRAM稳定运行 |
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在近日于美国夏威夷火努鲁鲁举行的超大规模集成电路(VLSI)2006年专题研讨会上，瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布，开发出一种有助于采用65nm(65纳米)制造工艺生产的SRAM(静态随机存取存储器)实现稳定运行的技术。新技术采用了一种直接图形成型布局和读辅助及写辅助电路，以克服采用精细特征工艺技术时由于晶体管固有特性可变性带来的SRAM不稳定问题。 |
| 2006-06-12 |
致力提高芯片设计性能，松下推出IC空气隙互连技术 |
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日本松下电机株式会社日前推出取代常规低K薄膜的材料。该公司研制了一种新型制造工艺，据称能使先进IC设计内的“空气隙”互连结构成为现实。 |
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