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| 2006-06-08 |
ADI采用iCMOS制造工艺的10款高精度和低成本放大器面世 |
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美国模拟器件公司(Analog Devices, Inc.)日前发布10款新的运算放大器扩展其产品种类，它们扩展了5V～16V(±8V)宽的工作电压范围，能满足工业和仪器仪表应用的多种性能和成本要求。 |
| 2006-06-01 |
平台SoC设计时代即将到来 |
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随着芯片制造工艺的几何尺寸不断变小，现在芯片设计师们已经能够在一块芯片中集成几乎所有的系统功能。他们已经开始认识到系统级芯片(SoC)这种高度集成的芯片正是解决这一难题的灵丹妙药。 |
| 2006-04-14 |
CMOS MEMS工艺开创新的里程碑 |
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大多数MEMS器件所需的独特制造工艺限制了传统MEMS技术的发展。与此相反，CMOS MEMS生产工艺则代表了单一器件制造的一个里程碑。CMOS MEMS是一种新方法，它在标准CMOS半导体材料内直接构造MEMS结构。 |
| 2006-02-28 |
ST 90nm小页面NAND闪存提供较低成本存储方案 |
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意法半导体(ST)宣布该公司采用90nm制造工艺的小页面NAND闪存系列产品全线上市。ST的128、256和512兆位闪存产品已向90nm先进制造工艺的成功转型，同时还为数码相机、PDA、GPS导航系统、低密度闪存卡、U盘、打印机、机顶盒、数字电视、汽车多媒体系统和多媒体手机等产品提供了节省成本的存储解决方案。 |
| 2005-12-21 |
降低功耗与优化性能并举的电源与性能管理技术SmartReflex |
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引言：尽管芯片级集成、亚微米制造工艺都有助于减小手机的尺寸并实现更多的功能，但是更小的亚微米工艺会加剧静态漏电流问题。于是便携式移动设备制造商面临既要降低功耗又要增强系统性能的艰巨挑战。本文讨论的SmartReflex技术可在SoC芯片级实现具有智能、自适应功能的电源和性能管理解决方案。 |
| 2005-11-23 |
台积电承诺2006年推出MEMS平台 |
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经过三年的研发，晶圆代工厂台积电(TSMC)表示，将IC制造工艺与微机电系统(MEMS)相融合的努力将可在2006年开始有所成效。 |
| 2005-11-01 |
影响DRAM存储密度的工艺技术分析 |
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DRAM是目前半导体产业中最为艰难的市场之一，因为其利润空间已经非常微薄，即便对具有最高成本效益的制造商而言亦是如此。因此，DRAM制造商必须在满足市场对更大存储密度和更高速度需求的同时不断地找到降低成本的途径。目前最有效的方法是通过缩小制造工艺和采用像6F2单元设计这类独创性设计技术来减小裸片的尺寸。 |
| 2005-10-19 |
Staktek推出改善热管理性能的存储器模块 |
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Staktek设计了一种可改善热管理和电气性能的工艺，而且仍可使用自身的制造工艺生产他们的器件，而不需要花巨资购买许可。 |
| 2005-06-10 |
ADI新型双极工艺可提高传感器信号处理性能 |
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美国模拟器件公司(ADI)日前推出了双极(bipolar)制造工艺，可为工业环境中低电平传感器信号的处理提供低噪声和高灵敏度，同时具有很高的击穿电压保护。 |
| 2005-05-23 |
三星芯片设计诊断软件每年可削减开发成本3千万美元 |
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三星电子公司(Samsung Electronics Co. Ltd)开发出面向纳米级制造工艺的芯片产品的设计诊断软件??ESCORT (Estimation of Chip Performance on Process Tolerance)/SRSIM (Samsung Reliability Simulator)。 |
| 2005-01-27 |
欧洲启动数字系统芯片功率泄漏控制项目 |
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来自欧洲7个国家的14家高等学府和科研院所组成的研发联盟日前启动一个旨在通过解决65nm节点以下CMOS制造工艺中的功率泄漏问题来改进下一代系统芯片设计的开发项目 |
| 2003-08-30 |
90nm工艺技术前端面临的挑战分析 |
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在90nm工艺节点，要不断调整晶体管尺寸，并且采用1到2种新的材料和制造工艺来实现晶体管的制造。 |
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