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| 2008-08-19 |
IQE增加了硅晶圆类型，应对航天应用 |
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半导体晶圆产品和经营服务供应商IQE plc在其制造工艺中又增加了两种新技术。这两种工艺技术采用应变硅和蓝宝石衬底，主要用于RF无线和宽带市场，用来改进硅芯片的速度和功耗。这些先进材料具有抗辐射特性，可用于航天应用。 |
| 2008-08-04 |
桥式电力：使燃料电池能作后备系统 |
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关键任务装置通常被备用发电设备所保护。这些关键任务装置（例如，数据及网络操作中心（NOCs），通讯中心，高价值制造工艺等）要求绝对不能中断的连续电力供给。最近燃料电池逐渐成为备用电力可行的备选方案，并且正在被许多电讯公司采用，从而使他们的系统可靠性更高。超级关键装置在能使用通用电源作后备电力的前提下采用瀑布式结构。 |
| 2008-06-18 |
Broadcom推出65纳米Bluetooth 2.1+EDR手机单芯片解决方案 |
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Broadcom（博通）公司宣布推出下一代Bluetooth 2.1+EDR单芯片解决方案。该方案除了在性能上有重大突破外，还具备更低功耗、更小芯片尺寸和更强的射频性能。这款最新的单芯片系统（SoC）解决方案以先进的65纳米CMOS制造工艺设计，针对移动电话的应用。它具备Broadcom公司独特的SmartAudio语音和音频增强技术，该技术以前只适用于无线耳机。而现在，手机制造商可利用它来改善电池使用寿命和语音质量，提供消费者更清晰更满意的无线通讯体验。 |
| 2008-06-03 |
意法半导体通过CMP为中国高等院校提供先进的CMOS制造工艺 |
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半导体产业领先企业意法半导体和世界知名的IC中介服务公司CMP（Circuits Multi Projects）宣布两家公司开始为中国高等院校的学术研究项目提供意法半导体最先进的CMOS制造技术。 |
| 2008-06-02 |
ST 65nm工艺SPEAr定制芯片问世，可用于数码相框 |
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意法半导体（ST）宣布该公司的SPEAr可配置型系统芯片系列新增加一款生力军，新款的SPEAr基本型产品采用当前最先进的65nm低功耗制造工艺，可满足各种嵌入式应用的需求，如入门级打印机、传真机、数码相框、网络电话（VoIP）等设备。 |
| 2008-05-14 |
英特尔：从65纳米到45纳米 |
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英特尔继续依托其“Tick-Tock”策略，已经将企业、桌面、移动平台主流处理器制造工艺提升至45nm(纳米)。2007年1月初，英特尔内部率先研制出世界第一款45nm制造工艺处理器，时隔一年多的时间，英特尔已经基本完成45nm制造工艺战略部署。 |
| 2008-04-07 |
DSP厂商加快进入中国电力系统市场，ADI先行一步 |
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从某种意义上来说，电力行业一直都在半导体行业的发展中扮演着相当重要的推动作用。自1957年第一个晶闸管问世以来，大功率的模拟电力电子器件已经走过了近50年的发展历程，可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、MOS可控晶闸管(MCT)、电力MOSFET以及绝缘栅极双极晶体管(IGBT)等电力电子器件的相继出现不断推动着半导体行业的发展。而近年来新出现的高频化、模块化以及智能化趋势更是在制造工艺和物理结构的创新上令半导体行业受益匪浅。 |
| 2008-03-11 |
具有变化意识的实用DFM设计方法 |
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在过去数十年中，IC设计方法经历了几次发展的拐点。目前我们正面临又一个拐点，在这个拐点设计师需要在设计中具有更强的预测能力以弥补制造工艺如光刻和蚀刻工艺中产生的变化。在90纳米以下工艺， GDSII图形中的正方形和长方形被转换成硅片上的等高线。 |
| 2008-02-14 |
TriQuint采用新的工艺制造毫米波器件 |
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TriQuint Semiconductor Inc.公司推出了最新的工艺技术，制造新的毫米波级别的产品。该工艺使用了TriQuint晶体管技术，用光栅光刻取代了传统的传统的电子束技术。TriQuint的TQP13-N技术使得低成本，150-mm的砷化镓晶圆制造工艺成为可能。 |
| 2008-02-06 |
意法与CMP合作，致力开发45纳米互补金属氧化物半导体制造工艺 |
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意法半导体和CMP （Circuits Multi Projects） 宣布，通过CMP提供的硅中介服务，大学、科研院所和公司可以使用意法半导体的45纳米互补金属氧化物半导体（CMOS）制造工艺进行原型设计。这项消息在巴黎举行的CMP用户年会上发布，会中集结了采用CMP多项目晶片服务的大学院校、科研机构或私营企业的代表。 |
| 2008-01-21 |
IBM的130nm嵌入式flash技术获认证，英飞凌将IBM作为代工基地 |
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Infineon技术AG宣布已经同意认证IBM的嵌入式flash存储制造工艺。130-nm级工艺将投入到IBM在北美的生产中，Infineon同时说未来基于该工艺的产品将采用IBM的代工。 |
| 2008-01-18 |
设计差异化是推动半导体产业发展的关键 |
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通信融合将推动未来半导体市场的增长。但半导体代工联盟无法在制造工艺上提供差异化，所以半导体公司需要更多地设计差异化，以更快地实现更好的芯片和系统方案来满足未来竞争需求。本文将与读者分享Mentor raphics主席兼CEO Walden C. Rhines关于在半导体产业未来趋势中实现设计差异化的观点。 |
| 2008-01-11 |
英飞凌拓宽嵌入式闪存制造工艺应用范围，IBM将获得130纳米使用许可 |
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英飞凌科技股份公司近日宣布与IBM签订协议，拓宽公司成熟的大容量嵌入式闪存制造工艺的应用范围 。IBM将获得英飞凌130纳米嵌入式闪存工艺的使用许可，用于在北美地区制造全新的芯片。此外，英飞凌将利用IBM的晶圆代工服务生产基于该工艺的产品。 |
| 2008-01-07 |
IBM获得英飞凌许可使用嵌入闪存制造工艺 |
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英飞凌日前表示，已同意向IBM提供使用其嵌入闪存制造工艺的许可。IBM将在北美使用这种130纳米工艺。英飞凌表示，它将使用IBM的代工服务生产未来基于此工艺的产品。 |
| 2007-12-21 |
移动设备的电源管理 |
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无线移动设备即将陷入一个僵局。随着在无线手持终端设备中集成新的计算、通信和娱乐应用，对功耗的要求正迅速提高，然而电池电量却无法跟上其发展的步伐。与此同时，用户想要的是外形圆滑且紧凑的移动设备，以便可以放进他们的口袋中。在支持更多功能的同时，芯片级集成（通常是在同一器件中整合多个处理内核）以及亚微米制造工艺还有助于缩小无线手持终端设备的尺寸。不幸的是，更小的亚微米制造工艺加剧了静态漏电功耗的问题。在提高系统性能的同时降低功耗是无线手持终端设备和其它移动设备厂商所面临的挑战。换言之，就是以更低的功耗实现更高的性能。 |
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