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| 2009-04-28 |
凸版印刷公司28nm掩模工艺准备就绪 |
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通过正在进行的与IBM的项目合作，凸版印刷（Toppan Printing）公司宣布已经开发了用于32nm和28nm节点光学掩模的新的制造工艺。Toppan表示，在日本Asaka制造的光学掩模与IBM在Essex Junction工厂的掩模完全兼容，且得到了IBM的认证。 |
| 2009-04-24 |
ARM发布业界最广泛的40纳米G物理IP平台 |
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ARM公司近日宣布，开始向台积电的40纳米G制造工艺提供业界最完善的IP平台。这一ARM最新的、已通过流片验证的物理IP能够满足性能驱动消费产品的高成本效率开发；这些产品要求在不提高功耗的前提下提供先进的功能。 |
| 2009-03-19 |
Point 35 Microstructures将氧化物释放技术添加到汽相MEMS制造系列 |
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全球微机电系统（MEMS）产业蚀刻和沉积设备供应商Point 35 Microstructures公司，日前在上海宣布推出汽相氧化物释放蚀刻模块，进一步扩展其微机电系统(MEMS) 单晶圆制造memsstar产品系列。这项新增的技术将确保MEMS器件设计师得到更多的生产选择，同时带来了宽泛的制造工艺窗口和各种工艺控制等等好处，从而使良率得到了最大的提升。 |
| 2009-03-06 |
精加工的领航者--丽发精艺金属工业有限公司和鑫宇五金制品有限公司 |
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精密的加工设备是高品质五金制品的基础。其生产的目标就是为其OEM客户提供高质量的产品。丽发精艺金属工业有限公司和鑫宇五金制品有限公司以其先进的生产技术和优良的制造工艺，正在成为精加工行业的领头军。 |
| 2008-12-22 |
恒忆推出新系列NAND闪存，定位于高密度eMMC和microSD解决方案 |
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恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb（gigabits）的多级单元 (MLC) NAND闪存、32GB（gigabytes）的eMMC存储芯片和高达8 GB的 microSD产品，全部采用先进的41nm制造工艺。 |
| 2008-08-19 |
IQE增加了硅晶圆类型，应对航天应用 |
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半导体晶圆产品和经营服务供应商IQE plc在其制造工艺中又增加了两种新技术。这两种工艺技术采用应变硅和蓝宝石衬底，主要用于RF无线和宽带市场，用来改进硅芯片的速度和功耗。这些先进材料具有抗辐射特性，可用于航天应用。 |
| 2008-08-04 |
桥式电力：使燃料电池能作后备系统 |
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关键任务装置通常被备用发电设备所保护。这些关键任务装置（例如，数据及网络操作中心（NOCs），通讯中心，高价值制造工艺等）要求绝对不能中断的连续电力供给。最近燃料电池逐渐成为备用电力可行的备选方案，并且正在被许多电讯公司采用，从而使他们的系统可靠性更高。超级关键装置在能使用通用电源作后备电力的前提下采用瀑布式结构。 |
| 2008-06-03 |
意法半导体通过CMP为中国高等院校提供先进的CMOS制造工艺 |
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半导体产业领先企业意法半导体和世界知名的IC中介服务公司CMP（Circuits Multi Projects）宣布两家公司开始为中国高等院校的学术研究项目提供意法半导体最先进的CMOS制造技术。 |
| 2008-06-02 |
ST 65nm工艺SPEAr定制芯片问世，可用于数码相框 |
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意法半导体（ST）宣布该公司的SPEAr可配置型系统芯片系列新增加一款生力军，新款的SPEAr基本型产品采用当前最先进的65nm低功耗制造工艺，可满足各种嵌入式应用的需求，如入门级打印机、传真机、数码相框、网络电话（VoIP）等设备。 |
| 2008-05-14 |
英特尔：从65纳米到45纳米 |
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英特尔继续依托其“Tick-Tock”策略，已经将企业、桌面、移动平台主流处理器制造工艺提升至45nm(纳米)。2007年1月初，英特尔内部率先研制出世界第一款45nm制造工艺处理器，时隔一年多的时间，英特尔已经基本完成45nm制造工艺战略部署。 |
| 2008-04-07 |
DSP厂商加快进入中国电力系统市场，ADI先行一步 |
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从某种意义上来说，电力行业一直都在半导体行业的发展中扮演着相当重要的推动作用。自1957年第一个晶闸管问世以来，大功率的模拟电力电子器件已经走过了近50年的发展历程，可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、MOS可控晶闸管(MCT)、电力MOSFET以及绝缘栅极双极晶体管(IGBT)等电力电子器件的相继出现不断推动着半导体行业的发展。而近年来新出现的高频化、模块化以及智能化趋势更是在制造工艺和物理结构的创新上令半导体行业受益匪浅。 |
| 2008-03-11 |
具有变化意识的实用DFM设计方法 |
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在过去数十年中，IC设计方法经历了几次发展的拐点。目前我们正面临又一个拐点，在这个拐点设计师需要在设计中具有更强的预测能力以弥补制造工艺如光刻和蚀刻工艺中产生的变化。在90纳米以下工艺， GDSII图形中的正方形和长方形被转换成硅片上的等高线。 |
| 2008-02-14 |
TriQuint采用新的工艺制造毫米波器件 |
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TriQuint Semiconductor Inc.公司推出了最新的工艺技术，制造新的毫米波级别的产品。该工艺使用了TriQuint晶体管技术，用光栅光刻取代了传统的传统的电子束技术。TriQuint的TQP13-N技术使得低成本，150-mm的砷化镓晶圆制造工艺成为可能。 |
| 2008-02-06 |
意法与CMP合作，致力开发45纳米互补金属氧化物半导体制造工艺 |
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意法半导体和CMP （Circuits Multi Projects） 宣布，通过CMP提供的硅中介服务，大学、科研院所和公司可以使用意法半导体的45纳米互补金属氧化物半导体（CMOS）制造工艺进行原型设计。这项消息在巴黎举行的CMP用户年会上发布，会中集结了采用CMP多项目晶片服务的大学院校、科研机构或私营企业的代表。 |
| 2008-01-21 |
IBM的130nm嵌入式flash技术获认证，英飞凌将IBM作为代工基地 |
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Infineon技术AG宣布已经同意认证IBM的嵌入式flash存储制造工艺。130-nm级工艺将投入到IBM在北美的生产中，Infineon同时说未来基于该工艺的产品将采用IBM的代工。 |
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