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MOSFET是什么?

MOSFET是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
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?200-60-60 利用智能MOSFET驱动器提升数字控制电源性能
  在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。
2009-07-02 Diodes推出新型MOSFET半桥器件，优化直流风扇及逆变器设计
  Diodes公司推出四款半桥MOSFET 封装，为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸，极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。
2009-06-24 英飞凌推出兼具超结技术和传统高压器件优势的下一代CoolMOS MOSFET
  英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS C6系列。
2009-06-23 MagnaChip公司发布500V高压MOSFET
  新MagnaChip半导体有限公司，宣布推出七个高压MOSFET产品，宣告正式全面进入功率半导体市场。
2009-06-23 英飞凌欲借新一代超结MOSFET树立硬开关应用基准
  英飞凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET产品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP两个产品系列的优势，可降低设计难度，适用于诸如PC、笔记本电脑、上网本或手机、照明（高压气体放电灯）以及LCD电视和游戏机等消费应用的电源或适配器，甚至是太阳能电源市场。
2009-06-19 IIC-China 2009秋季参展商介绍：上海光宇睿芯微电子有限公司
  上海光宇睿芯微电子有限公司将在IIC-China 2009秋季展上展出LED驱动器、带ESD保护的MOSFET、PWM控制电路等等产品。
2009-06-18 Maxim推出带有USB充电检测的过压保护器MAX14529E/30E
  Maxim推出带有USB充电检测的过压保护器(OVP)：MAX14529E/MAX14530E。器件采用集成MOSFET对低压系统提供高达28V 的故障保护，省去了外部nFET。
2009-06-15 Vishay推出IGBT/MOSFET驱动器VO3120/50A
  日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已有的光耦产品线。
2009-05-15 IR推出增强型25V及30V MOSFET，适用于负载点同步降压转换器应用
  国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出一系列新型25V及30V N通道沟道HEXFET功率MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。
2009-05-12 飞兆半导体100V MOSFET为电源设计带来低达50%的RDS(ON)
  飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。
2009-05-07 IR推出新型逻辑电平沟道MOSFET，提供基准效率和更高电流额定值
  国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
2009-05-04 赛普拉斯率先向市场推出采用65纳米工艺技术的SRAM
  Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障诊断和报告功能的新款全桥式MOSFET预驱动器 IC ，扩展其现有全桥式控制器系列。
2009-05-04 Allegro推出全桥式MOSFET预驱动器A4940
  Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障诊断和报告功能的新款全桥式MOSFET预驱动器 IC ，扩展其现有全桥式控制器系列。
2009-05-04 如何为D类放大器选取合适的参数
  为了设计一款高性能的D类音频放大器，对设计师来说，理解用于驱动输出喇叭的MOSFET的关键参数是至关重要的。正确地选择这些参数，如漏源击穿电压，静态漏源通态电阻，栅极电荷，体二极管反向恢复电荷，内部栅极电阻，最大结温，以及一些封装寄生参数等，将会改进放大器的性能，并降低尺寸和成本。本文将介绍这一选择过程，使工程师能够挑选出最佳的MOSFET来满足特定的需求。
2009-04-29 Maxim推出具4个使能输入的电池开关MAX14525
  Maxim Integrated Products推出具有4个使能输入的电池开关MAX14525。器件优化用于断开锂离子电池与负载的连接，具有35mΩ (典型值)的低RON和0.8μA (典型值)的超低静态电源电流。MAX14525集成了所有必需的元件(比较器、逻辑电路和MOSFET等)，与其4路独立的控制输入配合，省去了多达8个外部元件。



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