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| 2007-04-04 |
海力士与SanDisk结盟的背后…… |
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产业观察家已经在思考韩国海力士半导体与美国SanDisk签署交叉授权协议的意义。这两家公司计划设计和生产基于每单元四位x4闪存技术的闪存及NAND存储系统。 |
| 2007-03-30 |
NAND市况跌入谷底，DRAM也难幸免 |
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根据iSuppli公司的正式消息，NAND闪存供应商所面临的市况是业内有史以来最恶劣的，并且这种状况可能进一步恶化。如果不是到了岌岌可危的境地，供应商们就不会抱怨NAND闪存业务的定价和收益率的悲哀状况了。 |
| 2007-03-28 |
东芝、海力士握手言和，结束海DRAM/NAND相关专利权争议 |
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日本东芝和韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)近日表示，双方已签订交叉授权和产品供应协议，结束了与DRAM和NAND技术相关的专利权官司。但协议细节没有得到确认，据称其中包括海力士向东芝支付现金。 |
| 2007-03-27 |
Vista启动之前PC需求疲软，近期DRAM市场状况不理想 |
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随着对PC需求的疲软，iSuppli已把近期对DRAM市场的评级定为下降度，同时对近期NAND市场状态也继续持负增长的评级。DRAM现货市场价格已连续三周出现下滑，iSuppli的DRAM市场指数自2006年8月28日这一周以来，达到了最低水平。 |
| 2007-03-12 |
东芝新技术为嵌入式闪存拓宽了选择面 |
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日本东芝公司从多方面出击，面向日益兴起的嵌入式NAND闪存市场新推出4种新的技术。这些技术旨在提升NAND闪存的错误修正码(ECC)功能并解决其它问题。具体而言，这4种技术包括逻辑块寻址(LBA) NAND、千兆字节(GB) NAND、GB多芯片封装(MCP)和堆叠封装(PoP)。 |
| 2007-03-06 |
美光科技发布捆绑NAND闪存的1Gb移动DRAM内存芯片 |
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美光科技公司(Micron Technology, Inc.)在3GSM世界大会上，面向拥有多媒体和计算功能的高端移动电话发布了新型1Gb移动DRAM内存芯片。美光科技将把新的1Gb移动DRAM内存芯片和1、2、4Gb NAND闪存芯片捆绑在一起，构成强大的内存组合。 |
| 2007-03-05 |
发力25纳米器件，美光欲重夺NAND闪存技术霸主地位 |
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在内存价格低迷和库存上升的不利情况下，美光日前声称凭借开发25纳米NAND，已经夺回在NAND闪存领域的技术领先地位。美光的总裁兼首席执行官和董事长Steve Appleton表示，“25纳米NAND仍处于开发之中。” |
| 2007-02-14 |
虹晶NAND Flash controller IP具备极佳ECC能力 |
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虹晶科技(Socle)推出自行研发的高性能NAND Flash controller IP，号称拥有极佳纠错(Error Correct Code, ECC)能力，以及支持开机只读存储器(Boot Rom)功能，除性能高于一般NAND Flash controller，更能省去NOR Flash所需的空间，减少芯片面积，降低整体成本。 |
| 2007-02-07 |
东芝、SanDisk强强联手，发力56纳米NAND闪存市场 |
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正如人们所料，SanDisk公司近日宣布将开始与东芝合作，在位于日本名古屋附近四日市的300mm晶圆厂Fab3生产56纳米多层单元闪存。 |
| 2007-02-01 |
让NAND之路越走越宽！ONFI发布最新NAND闪存标准 |
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由英特尔、美光、意法半导体、现代和索尼等30多家公司组成的ONFI工作组宣布，他们已经开发出了第一个能使消费电子和电脑集成NAND闪存变得更为简单的标准。 |
| 2006-12-08 |
意法发布70nm工艺NAND闪存，提供高速和高密度 |
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意法半导体日前宣布，该公司采用70nm制造工艺的NAND闪存产品已全线上市。512-Mbit(小页)和1/2/4/8-Gbit(大页)闪存升级到ST的70nm制造工艺，使该系列产品进入NAND闪存技术的先进行列，升级后的产品价格低廉，功耗更小。 |
| 2006-12-05 |
从三星最新40nm NAND看非易失性存储技术发展 |
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为了夺回NAND闪存的技术领导权，三星半导体近日推出一款采用40nm工艺制造的32Gb NAND闪存芯片。该芯片不再采用传统的浮动栅结构，而是采用了被三星称为电荷捕获闪存(CTF)的专有氧-氮-氧层结构。与此同时，三星公司还推出了密度为512Mb的最新型相变存储器原型。 |
| 2006-11-22 |
瞄准集成应用，Spansion高密度MirrorBit Quad冲击NAND闪存 |
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面对NAND闪存日益严峻的竞争威胁，NOR闪存供应商一方面在竭力维护NOR的主流地位，另一方面也在积极出击NAND闪存市场。近日，NOR闪存领域最大的玩家Spansion公司推出首款支持每单元四比特的MirrorBit Quad解决方案，后来居上地把闪存芯片的存储密度推向又一个新境界。该公司希望，能够借助创新技术和集成化策略发现海量存储市场新的蓝海。 |
| 2006-11-14 |
英特尔美光强势合作风头正劲，第四家300mm晶圆厂选址狮城 |
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英特尔和美光技术公司日前宣布将其生产NAND闪存的第四家晶圆制造厂的厂址定为新加坡。英特尔和Micron表示该建立在新加坡德NAND闪存晶圆制造厂, 有望在2008年下半年投产，预期在2007年上半年破土动工。 |
| 2006-11-02 |
趋稳还是下降？专家释疑NAND市场迷局 |
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NAND闪存市场是半导体产业中增长最快的芯片领域之一，其增长速度可能正在放缓。市场调研公司Gartner日前把2006年NAND闪存销售额预估砍掉了15亿美元，并预测2007年形势低迷。Gartner指价格环境疲软，而且苹果电脑公司的iPod新品推出势头乏力。 |
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