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| 2006-10-25 |
从对比最新芯片入手，解读NAND闪存领域两强争霸 |
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三星与东芝长期统治着快速增长的NAND闪存市场。其中三星将研发重点集中在了单层单元(SLC)，而东芝的竞争优势在于多层单元(MLC)NAND闪存方面的设计经验和能力。两家公司各有所长，且三星也在开始向MLC领域渗透。本期设计揭密将主要对这两家公司的最新NAND闪存进行对比，同时也兼顾与Hynix、美光和英特尔等公司的比照。 |
| 2006-09-21 |
三星首款32G NAND面世，力图收复闪存失地 |
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为重夺NAND闪存领域的技术领导地位，三星电子日前宣布已开发出基于40纳米设计原理及三星专有的Charge Trap Flash(CTF)结构的业界首款32G NAND闪存。三星表示，这种32G NAND闪存首次采用了高K电介质薄膜，可用于密度达到64G的存储卡中。一张64G的存储卡可储存多达64个小时的DVD画质的电影(约40部电影)，或者16000个MP3音乐文件(1340个小时)。 |
| 2006-09-07 |
NAND闪存深入解析 |
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对于许多消费类音视频产品而言，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具吸引力。而与NOR闪存相比，NAND闪存的优点在于写(编程)和擦除操作的速率快，较适合于存储文件。如今，越来越多的处理器具备直接NAND接口，并能直接从NAND导入数据。 |
| 2006-09-07 |
NAND闪存技术深入解析 |
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对于许多消费类音视频产品而言，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具吸引力。而与NOR闪存相比，NAND闪存的优点在于写(编程)和擦除操作的速率快，较适合于存储文件。如今，越来越多的处理器具备直接NAND接口，并能直接从NAND导入数据。 |
| 2006-09-06 |
便携设备存储器技术方案之争进入战国时代 |
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功能需求的变化和发展使得便携设备存储子系统设计面临更大压力。针对这种趋势，存储器供应商不断推陈出新，从存储单元架构、容量、安全性、先进接口、封装技术等方面着手，推出了更多的选择方案，涉及NAND或NOR闪存、SRAM、PSRAM和低功耗DRAM以及微硬盘等各种存储器种类。 |
| 2006-08-28 |
台湾征战NAND市场数载未果，如今再入围城胜算几何？ |
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厌倦了总是坐在NAND闪存的靠边位置，台湾地区内存制造商继续向这一欣欣向荣的业务领域大举进攻。很明显，这些DRAM供应商入市时机已晚，主要是因为它们缺乏必要的专利和技术。 |
| 2006-08-17 |
SanDisk不走寻常路，Matrix 3D内存将转为读写存储？ |
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NAND闪存存储卡供应商SanDisk公司日前计划将一次性可编程3D存储技术转为读写存储，该存储技术是SanDisk收购Matrix半导体公司获得的。尽管在被收购之前Matrix就拥有一次性可编程存储器的客户，而且据称芯片月销量上百万，但SanDisk却似乎没有走Matrix的老路。SanDisk收购Matrix花了2.38亿美元。 |
| 2006-08-16 |
闪存主导地位难以撼动，通用存储新技术前路茫茫 |
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“闪存万岁！”这是日前召开的闪存峰会上传出的信息。Semiconductor Insights Inc.内存部门的技术经理Geoff MacGillivary认为，闪存特别是NAND至少还能发展三代，从而在可预见的将来并不需要通用存储(Universal memory)技术。 |
| 2006-08-10 |
2006年第二季度十大热门微处理器和存储器新品评析 |
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2006年第二季度十大热门微处理器和存储器新品评析。SEAGATE的首款 “垂直记录”2.5英寸硬盘密度达160G；LUMINARY MICRO公司基于ARM的MCU价格最低至1美元；ATMEL的32位AVR处理器面向手机多媒体系统；WINBOND ELECTRONICS（华邦电子）的双重输出SPI系列串口式闪存将时钟率翻倍；PHILIPS基于ARM-9的微控制器包含了一个矢量浮点协处理器；SPANSION的闪存子系统结合了NAND和NOR的优点；用于无线手持设备；MICRON TECHNOLOGY（美光科技）推出采用多芯片封装的1G的NAND存储子系统... |
| 2006-08-07 |
东芝发布采用逻辑地址访问方式的NAND型闪存 |
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东芝公司针对便携式音频播放器、个人媒体播放器、手机等数码消费产品，开发了采用逻辑地址访问方式的NAND型闪存的解决型产品(LBA-NAND)，并不久将对应于技术样品。 |
| 2006-08-04 |
NAND价格缩水暗藏发展契机，闪存技术有望拓展新兴应用 |
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NAND闪存业务正在走上正轨，根据Semico Research公司的研究，尽管“第一季度出现了显著的跌价”但这并没有妨碍NAND成为有史以来成长最快的半导体器件市场。 |
| 2006-08-01 |
英特尔、美光发力4Gb NAND闪存技术，50纳米样片问世 |
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最近，英特尔和美光(Micron Technology)推出采用50纳米工艺制造的4Gb容量NAND闪存样片。据美光表示，该器件由两家公司的合资企业IM Flash生产。就在几天前，三星电子宣布推迟了8G NAND闪存芯片的发货，因为该公司正在开发每单元存储四比特数据的NAND闪存技术。 |
| 2006-07-20 |
三星“暂别”8千兆位NAND闪存，暗自发力4位/cell技术 |
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据市场调研公司American Technology Research Inc.，三星电子已推迟8千兆位NAND闪存芯片的发货，但该公司正在悄悄地开发一种4位/cell NAND技术。 |
| 2006-06-26 |
英特尔CPU 7月惊现“跳楼价”，买家观望DRAM将受牵连 |
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市调机构DRAMeXchange针对全球内存市场发表最新报告指出，目前无论DDR或DDR2需求皆呈现疲软现象，主因在于英特尔(Intel)预告CPU 7月份将大降价，所有买家都在等待降价造成PC市场需求递延。此外上周NAND Flash现货市场买气平淡，各规格产品价格均下跌，其中2Gb和16Gb的跌幅最大。 |
| 2006-06-14 |
美光发布新闪存技术，单片集成了MMC控制器和NAND闪存 |
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美光科技近日推出针对手机和其他便携式设备的Managed NAND闪存技术。Managed NAND闪存使用了该公司的多芯片封装(MCP)技术，在一个小型的BGA封装中结合了高速多媒体卡(MMC)控制器和NAND闪存。 |
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