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| 2009-04-14 |
恒忆针对汽车和嵌入式市场推出新款闪存Numonyx Axcell M29F |
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恒忆公司近日宣布其NOR闪存系列产品之扩展计划。该公司计划推出针对汽车和嵌入式产品市场的新款闪存——Numonyx Axcell M29F。该闪存的工作电压为5伏，存储容量规格分别为16 MB、 8M、4M和2M。该新系列闪存的推出不仅将加快存储的执行速度，同时也使得汽车、军事、工厂自动化和航空电子应用领域拥有了灵活而稳定的NOR闪存供应货源。 |
| 2009-04-07 |
满足汽车应用需求，Numonyx宣布NOR闪存扩展计划 |
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Numonyx BV公司今日宣布其NOR闪存系列产品之扩展计划。该公司计划推出针对汽车和嵌入式产品市场的新款闪存---Numonyx Axcell M29F。 |
| 2009-02-16 |
恒忆取得重大设计突破，推出业内首款45nm NOR闪存芯片 |
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恒忆（Numonyx）发布业内首款采用45纳米工艺技术的多级单元（MLC）NOR闪存样片。在为客户提供高度的产品连续性和可靠性的同时，新产品发布还使恒忆能够大幅度提高存储产品的性能。新产品遥遥领先上一代65nm产品，是当前市场上最先进的NOR闪存。恒忆NOR闪存芯片广泛用于手机，运行关键的手机操作系统，管理个人数据，存储相片、音乐和视频。 |
| 2008-12-31 |
Spansion扩增300mm/65nm NOR生产 |
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Spansion的300mm SP1晶圆厂正在量产其首款针对消费及工业应用的65nm 3V MirrorBit NOR快闪存储器，而此举是为了该公司下一代MirrorBit Eclipse的推出打下基础。 |
| 2008-12-16 |
Spansion推出针对消费类及工业应用的65nm 3V MirrorBit NOR产品 |
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Spansion日前宣布其65nm 3V 512Mb及1Gb高容量MirrorBit NOR解决方案现已在该公司旗舰级300mm SP1晶圆厂进行量产，首批器件已于本季度初向客户发货。MirrorBit NOR GL产品系列是用于可靠的代码执行和数据存储的领先解决方案之一，可用于广泛的高容量消费类及工业应用领域，包括汽车导航系统、通讯基础设施设备、游戏及工业控制等。 |
| 2008-12-11 |
美光推出串行NAND闪存技术，面向嵌入式应用 |
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美光科技有限公司日前推出了一项串行NAND闪存技术，使嵌入式应用产品能够灵活方便地升级存储容量。美光串行NAND闪存的最低芯片密度为1Gb，这样一来，客户就能够轻松地在串行NOR闪存现有存储能力之外，以高性价比扩展存储容量；此外，美光的这款闪存还具有显著的每数据位成本优势。 |
| 2008-11-05 |
恒忆新型高密度M29闪存面试，适合嵌入式应用 |
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恒忆（Numonyx B.V）公司近日推出了安全性更高的新型高密度存储器系列产品，可为机顶盒、电信设备和其他嵌入式产品制造商提供快速可编程功能。Numonyx Axcell M29EW闪存扩展了恒忆产品的密度范围，密度可高达2GB*，并支持流行的M29行业标准，帮助公司大举进军高密度嵌入式NOR闪存市场。 |
| 2008-10-10 |
拆解夏普922SH手机，感受先进的多芯片封装技术 |
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本文对夏普922SH手机进行了深入剖析。其中ST公司的M39PNRA2A采用了令人印象深刻的多芯片封装形式，在单个封装中集成了两个Elpida的SDRAM裸片、两个ST的NOR闪存裸片和一个海力士的SLC NAND闪存。从整个手机的技术可以看出，日本设计师依然是前沿技术的领导者。但是也不能忽视北美和欧洲的设计师们，特别是像苹果和诺基亚这样的公司在iPhone和N95上所展现出来的创新成果。 |
| 2008-10-08 |
多位接口提升串行闪存的性能 |
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采用串行闪存替代并行NOR闪存作为代码执行装置，这种方案日益受到数字电视、DVD、PC、调制解调器、打印机及移动消费电子设备设计者的青睐，使得市场对串行闪存的需求继续飙升。推动这类需求迅速增长的原因，要归功于此类存储器所具有的引脚数量少、板面积小、功率低和系统成本低等多方面优势。 |
| 2008-08-25 |
Spansion与中芯国际的合作协议新添43nm制程MirrorBit ORNAND2技术 |
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全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion日前宣布扩大与中芯国际 (SMIC) 目前的合作协议，在生产65nm MirrorBit NOR产品的基础上，增加基于300mm晶圆的43nm Spansion MirrorBit ORNAND2闪存产品。 |
| 2008-06-24 |
手机拆机分析揭示移动存储的未来 |
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在相对较短的时间内，随着手机从商用工具发展成随处可见的大众通信工具，手机所使用的内存一直基于NOR闪存与SRAM的组合，最近是NOR闪存与pSRAM的组合。但是，这种内存配置正在面临使用移动DRAM(mDRAM)和/或NAND闪存组合的方案的挑战。 |
| 2008-06-19 |
揭示16Gb MLC NAND闪存表象下的技术细节 |
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2006年初，美光科技公司与英特尔公司的合作企业IM Flash Technologies公司(IMFT)在市场上闪亮登场。通过整合Intel公司的NOR多层单元(MLC)闪存技术与美光的DRAM和NAND闪存的制造效率和创新性，并且在两个母公司强大的IP库支持下，IMFT在同一年推出的第一个产品就让市场深受震动。 |
| 2008-06-05 |
Spansion MirrorBit NOR闪存解决方案为Xilinx Spartan-3A参考设计提供更多选择 |
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全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion Inc.日前宣布，其并行和串行闪存解决方案为领先电子元件分销商安富利电子元件部(Avnet Electronics Marketing)发布的Xilinx Spartan-3A参考板提供快速启动时间和有效代码执行。该参考板上兼具备受推崇的MirrorBit NOR GL 32 Mb闪存和低管脚数MirrorBit SPI FL 128 Mb串行闪存器件。 |
| 2008-05-22 |
科统科技推出中高阶容量手机用内存MCP产品 |
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科统科技开发出16Mb、32Mb与6?Mb低消耗电流Pseudo SRAM产品， 并整合65nm先进制程的Numonyx NOR Flash， 推出I-Combo与S-Combo系列的中高阶MCP产品。中高容量NOR FLASH加Pseudo SRAM的6?+32与128+32 KSP系列MCP日前已通过联发科手机平台的预先验证， 并已正式量产。 |
| 2008-05-20 |
为嵌入式应用选择并实现NAND闪存海量存储 |
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NAND闪存已经成为消费类应用中用作海量存储的主要选择，因为它相比NOR闪存而言具有单位比特成本更低、存储密度更高的优势，并且具有比硬盘更小的尺寸、更低的功耗以及更可靠的优势。然而，由于嵌入式应用对更高NAND闪存密度的要求在不断提高，设计师需要从各种NAND闪存类型、密度、供应商以及发展路线图和实现方式中作出合理选择。 |
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