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2009-03-11 Vishay发布20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET Si7137DP
  日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技术的首款器件 --- Si7137DP，该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装，具备业内最低的导通电阻。
2009-01-22 Vishay推出背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET Si8422DB
  日前，Vishay Intertechnology宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT 芯片级封装的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。
2008-12-25 Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP
  日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
2008-12-08 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
  日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。
2008-11-24 Vishay新型20V通道器件，具有业界最低导通电阻
  日前，Vishay Intertechnology推出一款新型 20V n 通道器件---SiR440DP，扩展了其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。该器件采用PowerPAK SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。
2008-06-20 Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8445DB
  日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20V p通道TrenchFET功率MOSFET——Vishay Siliconix Si8445DB，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1.2V时业界最低的导通电阻。



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