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MOSFET相关文章 |
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| 2008-08-13 | PAM公司研发出内置MOSFET管并输出30瓦的高功率LED驱动器 PAM(Power Analog Microelectronics)公司, 一家研发创新D类数字音频功放和高功率LED显示驱动器芯片公司,今天发布她的第一个具有内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,这个驱动器是采用台积电（TSMC）的双极型-CMOS-DMOS(BCD)工艺而制成的。 |
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| 2008-07-24 | 卓芯微电子P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA/RCRH003FB出炉 卓芯微电子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基产品RCRH010FA 和RCRH003FB。P沟道增强型场效应管采用高密度DMOS生产工艺，具有极低的导通电阻，并且在低至1.8V的栅极电压下仍可正常开启。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工艺，同时具有极佳的反向漏电特性。 |
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| 2008-07-23 | IR发表25V同步降压转换器DirectFET MOSFET芯片组 国际整流器公司(International Rectifier，IR)针对高频和高效率DC-DC应用，推出25V同步降压转换器DirectFET MOSFET芯片组，适用于负载点(POL)转换器设计、伺服器、高端台式电脑和笔记本电脑应用。 |
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| 2008-07-03 | PI新推LinkSwitch-II参考设计，简化LED驱动器开发
Power Integrations公司（PI）近日宣布推出一系列新的参考设计，以帮助LED驱动电路设计师有效利用该公司最近推出LinkSwitch-II系列AC-DC功率转换IC。新的参考设计（DI-184、DI-185及DI-186）能够证明LinkSwitch-II IC非常适合设计驱动高亮度LED的电源和镇流器。 |
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| 2008-06-30 | 凌力尔特发布两相升压型DC/DC控制器LTC3862
凌力尔特公近日推出两相升压型DC/DC控制器LTC3862，该器件提供高输出功率，占板面积紧凑。多达12个功率级可以并联并采用不同相的时钟，以最大限度减小输入和输出滤波需求。4V至36V的输入电压范围和取决于外部组件选择的宽输出电压范围使该器件适合广泛的大功率升压型应用。 |
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| 2008-06-27 | Linear发布高效率开关模式电池充电控制器LTC4009
凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出能以4A电流快速充电的高效率开关模式电池充电器控制器LTC4009，该器件适用于多种电池化学组成，最大限度地降低了功耗，而且没有增大占板面积。LTC4009 支持多节配置的锂离子/聚合物、镍氢金属、镍镉和密封铅酸电池。 |
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| 2008-06-20 | Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8445DB
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20V p通道TrenchFET功率MOSFET——Vishay Siliconix Si8445DB，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1.2V时业界最低的导通电阻。 |
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| 2008-06-16 | 凌力尔特新推高频、高输入电源电压MOSFET驱动器LTC4446
凌力尔特公司近日推出高频、高输入电源电压(100V)MOSFET驱动器LTC4446，用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率MOSFET和一个凌力尔特公司的DC/DC控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压DC开关。 |
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| 2008-06-12 | Linear推出60V高压侧电流检测DC/DC转换器LT3755
凌力尔特(Linear)推出60V、高压侧电流检测DC/DC转换器LT3755。4.5V至40V的输入电压范围使其适用于多种应用，如汽车、工业和建筑照明。LT3755使用外部N沟道MOSFET，可以用标称12V的输入驱动多达14个1A的白光LED，提供超过50W的功率。 |
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| 2008-05-27 | 英飞凌低通态电阻SSO8无铅封装OptiMOS 3系列MOSFET问世 英飞凌科技股份公司在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET，在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低导通电阻。 |
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| 2008-05-21 | Intersil发布高频6A吸入电流同步MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A Intersil公司刚刚推出的高频6A吸入电流同步（sink synchronous）MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A有助于为系统安全提供更高的效率、灵活性和更多的保护功能。 |
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| 2008-04-23 | 安森美推出超小型MOSFET NTUD312x，采用SOT-963封装 安森美半导体推出应用于便携电子产品的超小型SOT-963封装双小信号MOSFET，NTUD312x新器件的安装面积比采用单SOT-723封装的MOSFET解决方案小30%，比采用SOT-563封装的MOSFET解决方案小60%。 |
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| 2008-03-07 | AOS展出业界导通电阻最低的60伏MOSFET——AOT460 伴随着全球能源需求的不断增长及环保意识的逐步提升使得高效、节能产品成为市场发展的新趋势，而性能优良的功率器件再加上完整杰出的电源管理解决方案则成为提高能效、降低损耗的最佳途径。 |
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| 2008-02-27 | 飞兆新推PowerTrench MOSFET产品FDD4141，可将开关损耗减少达一半 飞兆半导体推出40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141，为功率工程师提供快速开关的解决方案，可将开关损耗减少达一半。FDD4141具有低导通阻抗(RDS(ON))，与目前的MOSFET比较能降低栅极电荷(QG)达50%。 |
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| 2008-01-08 | Allegro推出A3930/31汽车三相BLDC控制器和MOSFET驱动器 Allegro发布两款全新汽车级(温度和电压为额定)三相无刷直流电动机控制器集成电路A3930和A3931。上述两种控制IC集成了整流逻辑，减少了系统微处理器的负载，从而大大简化了系统设计，降低了系统成本。这些控制器主要用于采用分立/外部N通道MOSFET驱动的汽车霍尔整流三相电动机。 |
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| 2007-12-20 | 低边自保护MOSFET工作原理 功率MOSFET处理技术的发展使限流等保护功能和标准MOSFET功率晶体管开关结合到了一起。本文将讨论安森美半导体公司的HDPlus单片低边智能MOSFET系列产品的技术和工作原理。 |
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| 2007-12-04 | 凌力尔特发布高速同步N沟道MOSFET驱动器LTC4442/-1 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。 |
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| 2007-12-03 | Linear推出最新电压同步MOSFET驱动器LTC4444 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速、高输入电源电压(100V)同步MOSFET驱动器LTC4444，该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的N沟道MOSFET。这个驱动器可与功率MOSFET以及凌力尔特公司的很多DC/DC控制器一起组成完整的高效率同步转换器。 |
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| 2007-08-28 | 飞兆发布高效N沟道MOSFET FDS881XNZ系列 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD (HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。 |
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| 2007-07-11 | 快速二极管MOSFET在三相逆变器拓扑中的应用 提高效率和节能是家电应用中首要的问题。三相无刷直流电机因其效率高和尺寸小的优势而被广泛应用在家电设备中以及很多其他应用中。此外，由于采用了电子换向器代替机械换向装置，三相无刷直流电机被认为可靠性更高。 |
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| 2007-07-04 | Microchip推出采用SOT-23及DFN封装的小型MOSFET驱动器 单片机及模拟半导体供应商Microchip Technology Inc.宣布推出MCP1401及MCP1402 (MCP140X)单输出MOSFET驱动器。MCP1401及MCP1402 MOSFET驱动器分别采用反相和非反相设计，额定峰值输出电流均为0.5A，工作电压范围则宽达4.5V至18V。 |
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| 2007-06-12 | 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较 开关电源(Switch Mode Power Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。 |
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| 2007-05-28 | 飞兆发布全新一体化稳压器FAN2106，集成MOSFET 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)推出全新TinyBuck DC-DC降压稳压器系列的首款产品FAN2106，在超紧凑的模塑无脚封装(MLP)中集成了1个先进的模拟IC、若干MOSFET和1个启动二极管。FAN2106的外形尺寸只有5mm x 6mm，是目前业界最小型的6A、24V输入集成式同步降压稳压器。 |
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| 2007-05-25 | 研诺逻辑P沟道限制流型MOSFET管AAT4620适用于高端负荷开关 研诺逻辑科技有限公司日前宣布推出一款P沟道限流型场效应管(MOSFET)功率开关芯片——AAT4620，适用于个人电脑(PC)调制解调器(modem)卡的高端负荷开关应用。 |
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| 2007-05-18 | 飞兆半导体互补型40V MOSFET优化逆变器设计 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 日前推出互补型40V MOSFET器件FDD8424H，采用双DPAK封装，提供业界领先的散热能力，有助于提高系统可靠性、减小线路板空间及降低系统总体成本。 |
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| 2007-04-26 | ROHM的MPT6 Dual系列MOSFET面向小型设备的电源开关和电机驱动 ROHM株式会社最近开发出适合汽车驾驶导向系统、便携式DVD机、笔记本电脑、游戏机等小型、薄型机器的电源开关和电动机驱动器使用的MPT6 Dual(2元件)型系列产品，这种产品采用独创的小型大功率封装，低导通电阻的元器件。 |
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| 2007-04-19 | Vishay推出高频75V、2A半桥式MOSFET驱动器 Vishay Intertechnology近日宣布推出可提供2A峰值汇和源栅极驱动电流的高频75V半桥式n通道MOSFET驱动IC。 |
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| 2007-04-09 | Zetex发布新型自保护MOSFET，用于汽车和工业 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商捷特科(Zetex Semiconductors)公司近日推出首款采用SOT223封装的低端自保护MOSFET，它可通过独立状态引脚提供诊断反馈，有效地提高汽车和工业性高压系统的可靠性。 |
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| 2007-03-15 | 飞兆半导体PowerTrench MOSFET适用于PDP中的路径开关 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N沟道MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(PDP)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。 |
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| 2007-02-22 | 飞兆半导体推出新系列高频光隔离MOSFET栅极驱动器 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)领先业界的功率产品系列又添新成员，宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品，能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。 |
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| 2007-02-16 | 用非传统MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效 面对32纳米及以上技术带来的在功率性能方面的前所未有的挑战，需要新型的材料和器件结构。本文将讨论的正是你需要掌握的知识。 |
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| 2007-02-13 | Zetex发布三款有限驱动电压应用设计的MOSFET 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors近日推出三款为有限驱动电压应用设计的N沟道增强模式MOSFET。 |
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| 2007-02-12 | Intersil的PWM控制器ISL6535集成了MOSFET Intersil公司近日推出ISL6535高性能PWM控制器。该产品整合了12V、高速3A MOSFET栅极电路驱动器，可以实现出色的栅极电路驱动能力，并能利用较经济的MOSFET提高工作效率。该转换器还能提供和吸收电流，非常适于DDR存储器应用。 |
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| 2007-02-02 | 盛群专用MCU和高压MOSFET闸极驱动器针对直流无刷马达控制 盛群半导体针对三相直流无刷马达控制领域，推出专用MCU-HT45RM03并搭配高压MOSFET闸极驱动器HT45B0C。HT45B0C搭配Holtek新发表的直流无刷马达控制器HT45RM03，是控制直流无刷马达最佳的方案选择。适用的应用领域包含：电动自行车、吸尘器及各种直流无刷马达类的工业控制领域。 |
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| 2006-12-30 | IR发布最新150V DirectFET封装MOSFET 国际整流器公司推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF，适用于36V至75V通用电信输入及48V固定输入系统等多种运行环境的隔离式DC-DC转换器。新型DirectFET器件采用IR的DirectFET封装技术及新一代HEXFET功率MOSFET硅，额定电流可达35A，其散热表现更加卓越且效率更高，而占板面积则只相当于扁平型SO-8封装。 |
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| 2006-12-30 | 麦克雷尔公司推出全新10V MOSFET驱动器系列 模拟、高速带宽通信和以太网集成电路解决方案领域的企业麦克雷尔公司日前宣布推出新的10V驱动器系列产品，该系列产品是用来驱动在半桥和同步反向拓扑中高端和低侧N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。 |
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| 2006-12-21 | MOSFET热模拟工具现提供免费下载！ 一种能对Vishay Siliconix MOSFET的热性能进行模拟，并号称是第一款利用有限元分析以提高精确度的免费在线工具目前正在网上流行。 |
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| 2006-12-12 | Sipex推出全新的PowerBlox产品，集成两颗MOSFET Sipex的PowerBlox系列DC/DC又推出新产品，最新的SP766x只需要一路电源，输出电压低至0.8V，最大电流能力达12A。在一个DFN-26的封装里，PowerBlox集成2颗高性能MOSFET，外围只需少量的元件便可组成大电流开关电源，同时高达93%的效率也使得发热量及少。 |
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| 2006-12-12 | 高精度MOSFET设计技巧 本文我们将讨论如何推导用于计算最优化MOSFET裸片面积的方程。 |
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| 2006-12-01 | 瑞萨的新款电源芯片集成了一个驱动器和两个MOSFET 瑞萨科技又推采用56引脚QFN封装，集成了一个驱动器IC和两个高端/低端功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器。 |
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| 2006-11-30 | IR最新小封装200V DirectFET MOSFET效率高达95% IR新推出的200V DirectFET器件是应用于专为36V至75V通用输入范围内操作的隔离式 设计DC-DC转换器。其超低的51 mΩ典型10V导通电阻RDS(on)及减低了的栅极电荷。 |
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| 2006-11-14 | 英飞凌推出新一代MOSFET节能器件，有效提高能源效率 英飞凌科技日前在2006年全球电源系统展会(Power Systems World 2006)上，发布应用于计算机、电信设备和消费电子产品的直流/直流变换器的新一代功率半导体产品家族。全新的OptiMOS 3 30V N沟道MOSFET家族可使标准电源产品的可靠性和能源效率提高1%~1.3%，并在导通电阻、功率密度和门极电荷等主要功率转换指标上达到业界领先水平。 |
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| 2006-10-25 | 飞兆扩充其低压MOSFET产品系列，推出11款新型器件 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩充其AEC-Q101认证的30V和40V MOSFET产品系列，推出11种新型器件。这些低压PowerTrench MOSFET专为优化汽车应用的效率、性能和线路板空间而设计。 |
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| 2006-10-12 | 飞兆半导体发布11种新型小封装MicroFET MOSFET产品 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出11种新型MicroFET MOSFET产品，提供业界最广泛的的散热增强型超紧凑、低高度(2×2×0.8mm)器件，面向30V和20V以下的低功耗应用，包括移动电话、数码相机、游戏机、远程POS终端，以及其它大批量的便携式产品。 |
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| 2006-09-22 | Microsemi推出新一代功率MOS 8 MOSFET产品 Microsemi日前推出其最新一代功率MOS 8产品的首批15款产品。这些新型的功率MOS 8 MOSFET和REDFET系列器件设计用于包括功率因子校正、服务器和电信电源系统、太阳能逆变器、电弧焊、等离子切割、电池充电器、半导体资本设备和感应加热等高功率、高性能开关模式应用。 |
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| 2006-08-17 | 安森美18款MOSFET产品，适用于计算机CPU/GPU供电 安森美半导体(ON Semiconductor)推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电，直流－直流转换及高低端开关，如台式机、笔记本电脑和服务器中。 |
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| 2006-08-08 | IR新推三款25V DirectFET MOSFET提供更高的效率 国际整流器公司(International Rectifier，IR)近日推出三款新型25V DirectFET MOSFET，包括IRF6622控制MOSFET、IRF6628和IRF6629同步MOSFET，主要应用于服务器和电信系统中的嵌入式CPU电源、VRM模块，以及嵌入式DC-DC转换器。 |
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| 2006-07-25 | NEC推出低电压MOSFET，具备适用于移动设备的超小体积 NEC推出据称是业界尺寸最小的低压MOSFET μPA2350和μPA2351功率MOSFET，与业界传统8引脚TSSOP双N沟道器件相比，其尺寸减小了86%。该器件大小仅为1.62mm×1.62mm×0.48mm，可以缩小锂离子电池块的尺寸，适合手机、数码相机和其它移动设备的小型化发展趋势。 |
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| 2006-07-20 | IR面向电脑电源适配器推出HEXFET MOSFET系列产品 国际整流器公司(International Rectifier，IR)日前推出全新组件，拓展其为适用于服务器、笔记本计算机适配器和台式计算机电源供应的AC-DC同步整流而设计的60V及75V HEXFET MOSFET系列。此外，新产品亦适用于DC-DC和低电压马达驱动器。 |
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| 2006-07-10 | Vishay推出新款小封装MOSFET/IGBT驱动器 Vishay正在向其光电子产品系列中添加一款0.5A MOSFET/IGBT驱动器，该器件的最大低电平输出电压为1.0V，因此无需使用负栅极驱动器。在一个封装中结合了高速光耦合器与IGBT/MOSFET驱动器的隔离式解决方案——新型VO3150——在工业及消费类应用中非常适用于额定电压及电流分别高达为1200V及50A直接驱动的IGBT。 |
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| 2006-07-07 | 南科集团推出N通道和P通道MOSFET管系列 中国南科集团日前推出通用型N型/P型DMOS小信号对管NK702N/NK701P系列产品，比传统2N7002导通电阻低18倍(由7.5欧姆降至0.4欧姆)，但工作电流由0.5A提高一倍至1A，可广泛用于主板、显卡、DC/DC转换器等电源管理应用上。 |
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| 2006-07-04 | Zetex推出新一代MOSFET适用于大功率音频应用 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors近日推出新一代沟道MOSFET，为D类音频输出提供所需的大功率、良好散热效果和优质音频复制功能。 |
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| 2006-06-09 | IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的N沟道MOSFET 国际整流器公司(International Rectifier，IR)近日推出全新60、80和100V的N沟道HEXFET MOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用，可以将阻容乘积这一参数改善36%。 |
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| 2006-06-01 | 利用智能MOSFET驱动器提升数字控制电源性能 在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。 |
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